2020年5月20日，由鸿运国际手机版登录首页薄膜质料（广东）有限公司研爆发产的G4.5代线镧系稀土掺杂金属氧化物（Ln-IZO）靶材乐成交付给华星鸿运国际手机版登录首页，该靶材基于华南理工大学发明的薄膜晶体管用高迁移率稀土掺杂氧化物半导体质料，是新一代的TFT半导体沟道层质料，其先进的性能可满足未来超高清显示、柔性显示对沟道层质料的应用需求。

鸿运国际手机版登录首页薄膜质料（广东）有限公司董事长朱刘先生（左）与华南理工大学曹镛院士团队主干徐苗博士（右）在靶材交付现场

金属氧化物半导体因具备迁移率良好、稳定性高、均匀性高、制造本钱低等优点，被认为是可能取代硅基薄膜晶体管的新一代沟道层半导体质料。在平板显示领域，特别是在超高清，柔性显示以及印刷显示等新型显示技术方面具有巨大的应用潜力。现阶段，IGZO质料作为最早被研究的金属氧化物半导体质料，在国际上已经被LG、SHARP以及Apple等多家公司产品化。可是，现在IGZO的原始质料专利以及靶材供应均被日本和韩国公司掌握。目前，在海内对金属氧化物半导体质料的基础研究相对较少，对高迁移率和高稳定性的氧化物半导体溅射靶材制造研究更少。在目今情况下，扭转靶材依赖进口的局面，开发具有自主知识产权可工业化的优良氧化物靶材是一定任务。

针对此现状，2019年，在广东省科技厅的组织下，特别获得广东省“电子信息要害质料”重点研发计划的支持，鸿运国际手机版登录首页薄膜质料（广东）有限公司与华南理工大学、广州新视界鸿运国际手机版登录首页科技有限公司、深圳市华星鸿运国际手机版登录首页半导体显示技术有限公司、广东省半导体工业技术研究院联手组建了从基础研究到产品应用端的产学研用技术团队。团队以华南理工大学发光质料与器件国家重点实验室曹镛院士团队所开发的新型稀土掺杂金属氧化物靶材（Ln-IZO）技术为基础，以鸿运国际手机版登录首页薄膜的靶材开发与量产制备技术为焦点，结合质料基础研究、TFT器件工艺技术，开展了“薄膜晶体管用高迁移率氧化物半导体溅射靶材研究及应用”项目。经过重复研发测试，开发出此G4.5的Ln-IZO靶材，交付华星鸿运国际手机版登录首页上线使用，此为该项目的第一个重要结果。

Ln-IZO靶材摒弃古板基于IGZO的多元掺杂体系，接纳In2O3或SnO2等高迁移率氧化物半导体作为基体质料，可有效替代非晶硅及多晶硅及IGZO质料，在包管稳定性的同时，确保高迁移率的优势，可实现器件的高区分率、高响应速度、低能耗、低噪音，有效突破TFT器件要害质料技术，改善知识产权被动局面。

鸿运国际手机版登录首页薄膜质料（广东）有限公司作为项目牵头方，结合各单位特点，充分发挥各自的优势资源，在显示质料领域进行深度相助，在科技厅的支持下将继续完善自有知识产权的金属氧化物靶材量产化开发，为建设完整新型显示领域要害质料工业链添砖加瓦。